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三星HBM基片转逻辑制程 Hot Chips 2026全新机遇
在Hot Chips 2026上,三星宣布HBM基片从DRAM工艺转向4nm逻辑制程。此举释放了基片面积,用于集成近存储计算与电压调节,缓解AI训练内存墙。本文详解三阶段路线图与性能影响。
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在Hot Chips 2026上,三星宣布HBM基片从DRAM工艺转向4nm逻辑制程。此举释放了基片面积,用于集成近存储计算与电压调节,缓解AI训练内存墙。本文详解三阶段路线图与性能影响。
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